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懸浮活性硅膜厚度測量，適用于MEMS微機電系統(tǒng)應用，光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個MEMS微機電系統(tǒng)壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...

懸浮活性硅膜厚度測量，適用于MEMS微機電系統(tǒng)應用，光斑尺寸為25um。簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應用于不同的MEMS微機電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制終平臺的性能至關重要[1]。在這里，我們已經(jīng)在一個MEMS微機電系統(tǒng)壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度，使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe，該工具安裝在一個徠卡分模光學顯微鏡上。使用10倍物鏡進行測量，該物鏡與選定的孔徑大小一起對應于25μm的光斑大小(測量...

旋涂曲線（spincurve）是光刻膠重要參數(shù)之一，他給我們選擇光刻膠提供了重要的指導意義。所以我們來介紹一下什么是旋涂曲線？怎樣使用旋涂曲線？如何獲得旋涂曲線？什么是光刻膠旋涂曲線？顧名思義，光刻膠旋涂曲線就是在旋涂工藝下，光刻膠的厚度與勻膠轉(zhuǎn)速的關系曲線。一般來說，某一固定固含量的光刻膠在相同的勻膠條件下都會有一個相對穩(wěn)定的膜厚值。這個厚度隨著勻膠轉(zhuǎn)速的提高而降低。下圖是一個典型的光刻膠旋涂曲線：影響光刻膠旋涂曲線的因素主要有：光刻膠種類和固含量：一般來說，固含量越大，相...

納米制造使用光刻工藝(193nm，EUV，EBL等)涉及廣泛的材料、技術和相關的處理步驟，以便生產(chǎn)明確的納米結構。光刻膠的光刻對比曲線是工藝優(yōu)化常用的參數(shù)之一。光致抗蝕劑的對比度曲線是顯影后剩余的抗蝕劑膜厚度，作為對數(shù)繪制的曝光劑量的函數(shù)[1]。測量方法:在本篇應用案例中，使用EBPG-5000+電子束工具以100千電子伏的速度在不同的曝光劑量下對負性抗蝕劑進行曝光，生成100×100μm正方形的陣列，每個正方形對應不同的曝光劑量。在顯影步驟之后，使用FR-μ探針顯微光譜儀工...

等離子處理中哪種頻率效果好？中頻？射頻？微波？KHz，中頻產(chǎn)生等離子體能量大，主要是物理作用；MHz，射頻產(chǎn)生等離子體能量和密度居中,為物理和化學作用；GHz，微波產(chǎn)生等離子體能量小，密度高，主要為化學作用；40kHz、13.56MHz和2.45GHz等離子體激發(fā)頻率運用：激發(fā)頻率為40kHz的等離子體即超聲等離子體清洗是以物理反應為主的等離子體清洗，也叫做濺射腐蝕（SPE）或離子銑（IM），其優(yōu)點在于本身不發(fā)生化學反應，清潔表面不會留下任何的氧化物，可以保持被清洗物的化學純...

本篇介紹了使用I101鈣鈦礦前體油墨的鈣鈦礦太陽能電池制備過程，該油墨用于底部ITO/PEDOT：PSS陽極和頂部PC70BM/Ca/Al陰極。ITO/PEDOT：PSS/CH3NH3PbI3-xClx/PC70BM/Ca/Al詳細步驟如下：1.基板清潔：清潔預圖案化的ITO基板。將基板在1％的高溫（70°C）中超聲處理5分鐘。在沸騰的去離子（DI）水中漂洗底物兩次（轉(zhuǎn)儲沖洗），然后在IPA中進一步超聲處理5分鐘，后在沸騰的DI水中漂洗兩次。使用壓縮氮氣干燥基材。2.PEDO...

UV固化工藝是光化學反應前沿的應用，通過一定強度的紫外光照射,瞬間固化油墨、涂料、膠等相關化學品。隨著科技的發(fā)展，UV固化所涉及領域也更加廣泛，應用于汽車、電子、通訊、航空航天、金屬、玻璃及塑料等制品的制造上。憑籍其對產(chǎn)品品質(zhì)的提高和優(yōu)良的環(huán)境表現(xiàn)，以每年10%以上的速度替代傳統(tǒng)固化工藝。UV照射可硬化材料中的光起始劑吸收紫外線光譜(波長200-400nm)中的某些特殊波長的光而產(chǎn)生斷鍵情形,這些斷鍵的物質(zhì)再去撞擊單體和預聚合體而產(chǎn)生連鎖架橋反應,瞬間將此材料從液態(tài)變成固態(tài)。...