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簡(jiǎn)要描述:光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶(hù)需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí),深紫外光譜橢偏儀也是*的。可見(jiàn)或近紅外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。
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光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶(hù)需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí),深紫外光譜橢偏儀也是*的??梢?jiàn)或近紅外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。當(dāng)然,如果必須確定光學(xué)常數(shù),則應(yīng)將工具的波長(zhǎng)范圍配置為該范圍。其他配置,如波長(zhǎng)分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進(jìn)行考慮。
光譜橢偏儀特征:
•基于Window軟件,易于操作;
•*光學(xué)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能;
•高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應(yīng)用;
•基于陣列的探測(cè)器系統(tǒng),確??焖贉y(cè)量;
•用戶(hù)可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;
•能夠用于實(shí)時(shí)或在線厚度,折射率監(jiān)測(cè);
•系統(tǒng)配有全面的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù);
•高級(jí)TFProbe 3.3.X軟件允許用戶(hù)對(duì)每個(gè)膠片使用NK表,色散或有效介質(zhì)近似(EMA);
•三種不同的用戶(hù)級(jí)別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務(wù)模式和簡(jiǎn)易用戶(hù)模式;
•靈活的工程模式,適用于各種配方設(shè)置和光學(xué)模型測(cè)試;
•強(qiáng)大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測(cè)量;
•可按照用戶(hù)偏好配置測(cè)量參數(shù),操作簡(jiǎn)便;
•系統(tǒng)全自動(dòng)校準(zhǔn)和初始化;
•直接從樣品信號(hào)獲得精確的樣品對(duì)齊接口,無(wú)需外部光學(xué)元件;
•精確的高度和傾斜程度調(diào)整;
•適用于許多不同類(lèi)型的不同厚度的基材;
•各種選項(xiàng),附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長(zhǎng)擴(kuò)展,焦點(diǎn)等;
•2D和3D輸出圖形以及用戶(hù)數(shù)據(jù)管理界面;
光譜橢偏儀應(yīng)用:
•半導(dǎo)體制造(PR,氧化物,氮化物......)
•液晶顯示器(ITO,PR,Cell gap ......)
•法醫(yī)學(xué),生物學(xué)材料
•油墨,礦物學(xué),顏料,調(diào)色劑
•制藥,醫(yī)療器械
•光學(xué)涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......
•半導(dǎo)體化合物
•MEMS / MOEMS中的功能薄膜
•無(wú)定形,納米和硅晶圓
•太陽(yáng)能電池薄膜,CdTe,CdS,CIGS,AZO,CZTS ....
光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | SE200 (DUV-Vis) | SE300 (Vis) | SE450 (Vis-Nir) | SE500 (DUV-Vis-Nir) |
探測(cè)器類(lèi)型 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 |
波長(zhǎng)范圍(nm) | 190至1100 | 370至1100 | 370-1700 | 190-1700 |
波長(zhǎng)點(diǎn) | 測(cè)量波長(zhǎng)范圍和波長(zhǎng)數(shù)據(jù)點(diǎn)均在用戶(hù)配方中自定義(數(shù)據(jù)點(diǎn)僅受分辨率限制) | |||
波長(zhǎng)分辨率 | 0.01 -3nm | 0.01 -3nm | 0.01至3nm | 0.01至3nm |
數(shù)據(jù)采集??時(shí)間 | 100毫秒到10秒,用戶(hù)自定義 | |||
入射角范圍 | 20至90度 |
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